天岳先進(jìn)取得用于生長高均一性外延片的石墨盤及用于外延生長的裝置專利
作者：1180發(fā)布時(shí)間：2024-08-07
山東天岳先進(jìn)科技股份有限公司取得一項(xiàng)名為“一種用于生長高均一性外延片的石墨盤及用于外延生長的裝置“，授權(quán)公告號 CN221440934U，申請日期為 2023 年 12 月。
專利摘要顯示，本申請公開了一種用于生長高均一性外延片的石墨盤及用于外延生長的裝置，屬于外延片生長技術(shù)領(lǐng)域。該石墨盤包括：石墨盤本體，所述石墨盤本體的上表面向下凹陷形成凹槽，所述凹槽邊緣至凹槽中心設(shè)置有 3?6 個(gè)臺(tái)階，所述臺(tái)階的高度小于所述凹槽的高度，且所述臺(tái)階的高度自凹槽邊緣向凹槽中心逐級遞減，所述臺(tái)階為石墨材質(zhì)。該石墨盤專門針對中心溫度高而邊緣溫度低的溫場進(jìn)行設(shè)計(jì)，通過在凹槽內(nèi)設(shè)置 3?6 個(gè)臺(tái)階，能夠降低外延中心與邊緣的溫度差，使得外延片的厚度和摻雜可控，得到高均一性的外延片。
