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山東天岳自主研發(fā)碳化硅技術(shù)打破技術(shù)壟斷

作者:27發(fā)布時(shí)間:2014-06-03
   中國(guó)鑄造網(wǎng)訊,山東天岳先進(jìn)材料科技有限公司依托山東大學(xué)晶體材料國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室(中國(guó)晶體領(lǐng)域唯一國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室),山東天岳自主研發(fā)的碳化硅晶體生長(zhǎng)和襯底加工技術(shù)達(dá)到了世界先進(jìn)水平,擁有了獨(dú)立的自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)。打破了以美國(guó)為首的西方發(fā)達(dá)國(guó)家的技術(shù)壟斷和封鎖。

  半導(dǎo)體碳化硅單晶材料廣泛應(yīng)用于大功率高頻電子器件、射頻器件、半導(dǎo)體發(fā)光二極管(LED),產(chǎn)品涉及到軍事工業(yè)、民用航空、半導(dǎo)體照明、電子產(chǎn)品背光源等國(guó)家鼓勵(lì)發(fā)展產(chǎn)業(yè),是第三代半導(dǎo)體的核心材料,屬于《國(guó)家中長(zhǎng)期科學(xué)和技術(shù)發(fā)展規(guī)劃綱要》和國(guó)家“十二五”發(fā)展規(guī)劃中重點(diǎn)培育和發(fā)展的戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)。

  從我國(guó)產(chǎn)業(yè)發(fā)展的實(shí)際情況來(lái)看,如果“金字塔尖”的碳化硅材料上游開(kāi)發(fā)受阻,將嚴(yán)重制約產(chǎn)業(yè)鏈中下游的器件、封裝與應(yīng)用領(lǐng)域的發(fā)展。長(zhǎng)期以來(lái),我國(guó)的電子器件主要依靠進(jìn)口,其中2011年的進(jìn)口額就高達(dá)3000億美元,超過(guò)了石油進(jìn)口額。半導(dǎo)體碳化硅襯底及芯片的重要戰(zhàn)略?xún)r(jià)值,使其始終穩(wěn)居美國(guó)商務(wù)部的禁運(yùn)名單,這也導(dǎo)致我國(guó)很難從國(guó)外獲得相應(yīng)產(chǎn)品。而如今,山東天岳公司已將山東大學(xué)晶體材料國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室十余年的研發(fā)成果大尺寸碳化硅襯底生長(zhǎng)加工技術(shù),進(jìn)行了產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)化,填補(bǔ)了國(guó)內(nèi)在該領(lǐng)域的空白,打破歐美發(fā)達(dá)國(guó)家長(zhǎng)期以來(lái)對(duì)我國(guó)的技術(shù)壟斷、產(chǎn)品禁運(yùn),從源頭上解決了受制于人的局面。

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